隨著華為被斷供，讓很多人知道即使一家企業(yè)能設(shè)計出高端芯片，但其“存亡”依舊被臺積電和ASML控制，而臺積電和ASML均被美國控制。光刻機(jī)對制造芯片很關(guān)鍵，實際上光刻機(jī)對制造芯片僅占40％的工序，與光刻機(jī)同一樣，光刻膠也非常重要，很多人知道光刻機(jī)，卻不知道光刻膠，這是集成電路的一種重要材料，將光刻膠做涂層，就能在硅片表面刻蝕所需電路圖形，是光刻機(jī)的核心材料。
雖然我國是半導(dǎo)體生產(chǎn)大國，特別是液晶面板，但是都處于產(chǎn)業(yè)鏈下游，液晶面板用的光刻膠幾乎全是依賴進(jìn)口，被島國幾家公司牢牢掌握。即使是國產(chǎn)標(biāo)桿京東方也需要從海外采購，自主研發(fā)這個太難了，目前我國最先進(jìn)的是300多nm。而現(xiàn)在，南大光電ARF光刻膠可用于7nm，這是國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)的又一次進(jìn)步，打破了美日壟斷，也可以躋身一流市場。
首先帶來好消息的是上海微電子成功突破技術(shù)瓶頸，首臺國產(chǎn)28nm光刻機(jī)將在2021年量產(chǎn)交付，雖然與當(dāng)前7nm工藝制程有4代左右的技術(shù)代差，但也可以滿足了除手機(jī)芯片以外的幾乎所有芯片的工藝制程要求，對于我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展還是具有里程碑式的意義。
更令人可喜的是在光刻技術(shù)的基礎(chǔ)理論上也取得了重大進(jìn)展。武漢甘棕松團(tuán)隊采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠(yuǎn)場光學(xué)的辦法，光刻出最小9nm線寬的線段，實現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。所以，一旦將該技術(shù)運用到光刻機(jī)領(lǐng)域，那么我國實現(xiàn)在光刻機(jī)領(lǐng)域的彎道超車也是指日可待。
國產(chǎn)最先進(jìn)光刻機(jī)企業(yè)微電子一旦突破高端水平，就可以將設(shè)備賣給中芯國際，最終美國控制的ASML和臺積電的壟斷優(yōu)勢即將消失。目前中芯國際也在不斷發(fā)力，都知道中芯國際最近動作頻繁，有了華為這個大客戶后，中芯的底氣足了很多，麒麟710A從臺積電手中拿下，現(xiàn)在7nm又有華為深度協(xié)助，而且回A上市募資234億元，國內(nèi)又戰(zhàn)略注資150億，促進(jìn)中芯規(guī)模量產(chǎn)和先進(jìn)制程研發(fā)。
排名世界第三的美國，半導(dǎo)體企業(yè)格羅方德耗資700億在成都建立公司，因為放棄7nm，轉(zhuǎn)而研發(fā)微電子和光電子芯片慘敗，市場份額也被國產(chǎn)代工廠壓縮，狼狽離開。其中國區(qū)副總裁宣布加入中芯國際，為先進(jìn)制程業(yè)務(wù)接單。這是因為中芯的7nm馬上就要量產(chǎn)了，N+1的研發(fā)進(jìn)程穩(wěn)定，已進(jìn)入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段。格羅方德副總裁的加入，會推動芯片業(yè)務(wù)，回籠資金用于5nm和3nm的研發(fā)，中芯國際已經(jīng)開始加速追趕臺積電，使命重大。總之，隨著上海微電子和中芯國際的不斷突破，華為就不再擔(dān)心臺積電的斷供。
