三安光電6月16日晚間發布公告稱，公司擬加碼160億元在長沙投資半導體產業化項目。近年來，三安光電在化合物半導體領域持續發力，長沙項目也是三安光電在泉州三安之后又一個聚焦化合物半導體的項目。
160億長沙投資
三安光電稱，公司決定在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，投資總額160億元。
根據進度，三安光電表示，公司在用地各項手續和相關條件齊備后24個月內完成一期項目建設并實現投產，48個月內完成二期項目建設和固定資產投資并實現投產，72個月內實現達產。
三安光電與長沙高新技術產業開發區管理委員會于6月15日簽署《項目投資建設合同》。具體開發建設產品內容方面，三安光電表示，主要研發、生產及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、Si CMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET，不過最終以甲方認可的乙方項目實施主體可研報告為準。
來源：《行家說CEO／CMO季度內參Q4（2019）》
對于本次項目建設，三安光電稱，第三代半導體產業園項目有著廣闊的市場需求，現處于發展階段。本次投資項目符合國家產業政策規劃，符合公司產業發展方向和發展戰略，有利于提升公司行業地位及核心競爭力。
連續加碼化合物半導體
三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發、生產與銷售。三安光電起家于LED，但很早就在著手布局集成電路領域。
2017年底時，三安光電曾宣布大手筆投資333億元建設“泉州芯谷”南安園區·三安高端半導體項目。主要包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目，高端砷化鎵LED外延、芯片的研發與制造產業化項目，大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目的光芒，用于擴大高端化合物半導體產能。
根據當時的項目預計，三安光電稱全部項目5年內實現投產，7年內全部項目實現達產。業內預計，333億元投資達產后年營收約270億元，是當前三安光電營收的3倍。泉州南安項目也被稱為“再造一個三安光電”。根據今年的消息，泉州三安半導體項目于去年年底已開始投產，春節期間沒有停工，在前期做好疫情防控的同時，已經逐漸推進項目建設和生產，產能將逐步恢復至計劃水平。
三安光電曾在2019年年報中透露，三安集成業務與同期相比呈現積極變化，已取得國內重要客戶的合格供應商認證, 各個板塊已全面開展合作,全年實現銷售收入 2.41 億元,同比增長 40.67%。砷化鎵射頻出貨客戶累計超過90家。氮化鎵射頻產品重要客戶已實現批量生產,產能正逐步爬坡碳化硅功率二極管及MOSFET及硅基氮化鎵功率器件，客戶累計超過60家，27種產品已進入批量量產階段光通訊在保持及擴大現有中低速 PD/MPD 產品的市場領先份額外，在附加值高的高端產品如 10G APD/25G PD、以及發射端 10G/25G VCSEL 和 10G DFB 均已在行業重要客戶處實現驗證通過,進入實質性批量試產階段濾波器產品開發性能優越,生產線持續擴充及備貨中,預計 2020 年會實現銷售。
另外，三安光電還是國家集成電路產業投資基金股份有限公司(“大基金”)持股公司，一季報顯示大基金持有公司股票約4.61億股，約占公司總股本的11.30%。同時三安光電還與華芯投資管理有限責任公司（大基金的唯一管理機構）、國家開發銀行、福建三安集團有限公司約定四方建立戰略合作關系，大力支持公司發展以Ⅲ-V族化合物半導體為重點的集成電路業務。不過最近大基金發布減持公告，擬在未來6個月內減持不超過公司股份總數2%的股票。
行家說產業研究中心認為：第三代半導體（以SiC和GaN為代表）近幾年來受到半導體行業極大關注，隨著5G、汽車等新市場出現，SiC/GaN不可替代的優勢使得相關產品的研發與應用加速。SiC具有“一材兩用”的特質：既可以做成SiC器件，也可以作為GaN器件的襯底材料，碳化硅和氮化鎵有超過95%的晶格適配度，性能指標遠超其他襯底如藍寶石、硅、砷化鎵等。SiC器件正在廣泛地被應用在電力電子領域中，典型市場包括軌交、功率因數校正電源（PFC）、風電（wind）、光伏（PV）、新能源汽車（EV/HEV）、充電樁、不間斷電源（UPS）等。
三安此次在長沙布局SiC顯示了其做大做強第三代半導體的決心，而160億的投資額目前是遠超SiC器件產值的，可見，三安對于SiC市場的預期比很多調研機構都更為樂觀。
